Theoretische und praktische Untersuchung über das Rauschverhalten von Feldeffekt-Transistoren im Pinchoff-Gebiet | Buchdaten, Inhalt und Autor
10/06/2026
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Theoretische und praktische Untersuchung über das Rauschverhalten von Feldeffekt-Transistoren im Pinchoff-Gebiet von Rudolf Kässer prägnant zusammengefasst mit Fokus auf Inhalt und Ausgabe. Praktisch, wenn du Titel prüfen oder Ausgaben vergleichen willst.
Theoretische und praktische Untersuchung über das Rauschverhalten von Feldeffekt-Transistoren im Pinchoff-Gebiet | Buchdaten, Inhalt und Autor
Theoretische und praktische Untersuchung über das Rauschverhalten von Feldeffekt-Transistoren im Pinchoff-Gebiet - Details zu Inhalt, Autor und Veröffentlichung
Theoretische und praktische Untersuchung über das Rauschverhalten von Feldeffekt-Transistoren im Pinchoff-Gebiet gehört zur Kategorie Sachbuch und stammt von Rudolf Kässer - eine Kombination, die den Titel sowohl fachlich als auch bibliografisch interessant macht. Theoretische und praktische Untersuchung über das Rauschverhalten von Feldeffekt-Transistoren im Pinchoff-Gebiet wurde am 1973 publiziert und dem Verlag Juris + Verlag mit Verlagsort Zürich zugeordnet.
Warum Theoretische und praktische Untersuchung über das Rauschverhalten von Feldeffekt-Transistoren im Pinchoff-Gebiet relevant sein kann
Auch das Veröffentlichungsdatum 1973 macht Theoretische und praktische Untersuchung über das Rauschverhalten von Feldeffekt-Transistoren im Pinchoff-Gebiet für zeitlich eingegrenzte Suchen besonders interessant. Im Kontext des Gesamtwerks von Rudolf Kässer lässt sich Theoretische und praktische Untersuchung über das Rauschverhalten von Feldeffekt-Transistoren im Pinchoff-Gebiet gezielt bibliografisch und thematisch einordnen. Die Ausgabe ist in Deutsch verfügbar und damit gezielt für Leserinnen und Leser mit entsprechender Sprachpräferenz interessant. Theoretische und praktische Untersuchung über das Rauschverhalten von Feldeffekt-Transistoren im Pinchoff-Gebiet spricht besonders Nutzer an, die sich für Bücher rund um Sachbuch interessieren. Der Verlag Juris + Verlag und der Verlagsort Zürich liefern zusätzliche Orientierung bei der Einordnung dieser Ausgabe.
Edition und bibliografische Einordnung
Die Kombination aus ISBN-10 3260035877 und ISBN-13 9783260035876 ermöglicht eine besonders präzise bibliografische Zuordnung. Im Open-Library-Kontext ist das Werk über OL37055246W sowie die Editionszuordnungen OL50010548M referenzierbar. Die verlegerische und zeitliche Einordnung wird durch Juris + Verlag, Zürich und 1973 präzise ergänzt.
Warum sich Theoretische und praktische Untersuchung über das Rauschverhalten von Feldeffekt-Transistoren im Pinchoff-Gebiet gut einordnen lässt
Eindeutige Referenzdaten wie 3260035877, 9783260035876 und OL37055246W verbessern die bibliografische Verlässlichkeit zusätzlich.
Häufige Fragen zu Theoretische und praktische Untersuchung über das Rauschverhalten von Feldeffekt-Transistoren im Pinchoff-Gebiet
Wofür sind die Open-Library-IDs hilfreich?
Mit OL37055246W und OL50010548M lässt sich das Werk auch in externen bibliografischen Zusammenhängen besser verknüpfen.
Wann und wo wurde die Ausgabe veröffentlicht?
Die Ausgabe erschien am 1973 bei Juris + Verlag und ist dem Veröffentlichungsort Zürich zugeordnet.
Worum handelt es sich bei Theoretische und praktische Untersuchung über das Rauschverhalten von Feldeffekt-Transistoren im Pinchoff-Gebiet?
Theoretische und praktische Untersuchung über das Rauschverhalten von Feldeffekt-Transistoren im Pinchoff-Gebiet ist ein Buch von Rudolf Kässer, das der Kategorie Sachbuch zugeordnet wird und damit thematisch klar eingeordnet werden kann.
Wie lässt sich die Ausgabe eindeutig identifizieren?
Die eindeutige Identifikation erfolgt unter anderem über die ISBN-10 3260035877 und die ISBN-13 9783260035876.
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