Einführung in die Halbleiterphysik | Buchdaten, Inhalt und Autor
28.10.2026
(Zuletzt aktualisiert: 28.10.2026)Lesedauer: 9 min
Einführung in die Halbleiterphysik von Helmut August Müser im Überblick mit Inhalt, Buchdaten und Einordnung. So siehst du sofort, ob das Buch zu deiner Suche passt.
Einführung in die Halbleiterphysik - Details zu Inhalt, Autor und Veröffentlichung
Einführung in die Halbleiterphysik von Helmut August Müser ist ein Titel aus dem Bereich Sachbuch, der thematisch klar positioniert ist und für Leserinnen und Leser mit Interesse an diesem Fach- oder Themengebiet besonders relevant sein kann. Einführung in die Halbleiterphysik wird in der Beschreibung wie folgt charakterisiert: IN DIE HALBLEITERPHYSIK Von DR. HELMUT A. MÜSER apl. Professor an der Johann-Wolfgang-Goethe-Universität in Frankfurt am Main Mit 35 Abbildungen in 46 Einzeldarstellungen und 2 Tabellen DR. DIETRICH STEINKOPFF VERLAG DARM STADT 1960 ISBN 978-3-7985-0172-0 ISBN 978-3-642-93653-l(eBook) DOI 10.1007/978-3-642-93653-1 Alle Rechte vorbehalten Kein Teil dieses Buches darf in irgendeiner Form (durch Fotokopie. Mikrofilm oder ein anderes Verfahren) ohne Achriftliche Genehmigung des Verlages reproduziert werden. Copyright 1960 by Dr. Dietrich Steinkopff, Darmstadt Softcover reprint of the hardcover 18t edition 1960 Z weck und Ziel der Sammlung Als RAPHAEL EDUARD LIESEGANG am 13. November 1947 starb, lagen 57 Bände der Sammlung vor, die er gegründet und mehr als ein Viertel jahrhundert lang herausgegeben hatte. Brücken zu schlagen zwischen den einzelnen Teilgebieten von Natur wissenschaft und Medizin, ist das Ziel der "Wissenschaftlichen For schungsberichte". Schon unter LIESEGANGS Herausgeberschaft wandelten und erweiterten sich Charakter und Absichten der Sammlung. Die ersten Bände erfaßten in Form kritischer Sammelreferate die Literatur einzelner Disziplinen aus der Zeit des ersten Weltkriegs. Später folgten monographi sche Darstellungen junger, inzwischen selbständig gewordener Zweige der Wissenschaft und neuer Methoden, die auf vielen Teilgebieten natur wissenschaftlicher Forschung allgemeine Bedeutung erlangt hatten. Verlag und Herausgeber bemühen sich, die "Wissenschaftlichen For schungsberichte" im Geiste LIESEGANGS weiterzuführen, und sie sind überzeugt, daß der Sinn dieser Tradition gerade darin besteht, die Samm lung so lebendig und wandlungsfähig zu erhalten, daß sie die Forderungen des Tages zu erfüllen vermag Als Veröffentlichungsdatum ist 1960 hinterlegt; verlegt wurde der Titel von D. Steinkopff in Darmstadt.
Was diese Ausgabe besonders interessant macht
Auch das Veröffentlichungsdatum 1960 macht Einführung in die Halbleiterphysik für zeitlich eingegrenzte Suchen besonders interessant. Gerade wer nach Werken von Helmut August Müser sucht, sollte Einführung in die Halbleiterphysik näher betrachten. Innerhalb von Sachbuch bietet Einführung in die Halbleiterphysik eine klar erkennbare thematische Zuordnung. Die Angaben zu D. Steinkopff und Darmstadt stärken die bibliografische Präzision des Eintrags. Einführung in die Halbleiterphysik liegt in Deutsch vor, was für die inhaltliche Nutzung ebenso wichtig ist wie für die bibliografische Suche.
Worum geht es in Einführung in die Halbleiterphysik?
Im thematischen Kontext von Sachbuch setzt Einführung in die Halbleiterphysik laut Beschreibung auf folgende Schwerpunkte: IN DIE HALBLEITERPHYSIK Von DR. HELMUT A. MÜSER apl. Professor an der Johann-Wolfgang-Goethe-Universität in Frankfurt am Main Mit 35 Abbildungen in 46 Einzeldarstellungen und 2 Tabellen DR. DIETRICH STEINKOPFF VERLAG DARM STADT 1960 ISBN 978-3-7985-0172-0 ISBN 978-3-642-93653-l(eBook) DOI 10.1007/978-3-642-93653-1 Alle Rechte vorbehalten Kein Teil dieses Buches darf in irgendeiner Form (durch Fotokopie. Mikrofilm oder ein anderes Verfahren) ohne Achriftliche Genehmigung des Verlages reproduziert werden. Copyright 1960 by Dr. Dietrich Steinkopff, Darmstadt Softcover reprint of the hardcover 18t edition 1960 Z weck und Ziel der Sammlung Als RAPHAEL EDUARD LIESEGANG am 13. November 1947 starb, lagen 57 Bände der Sammlung vor, die er gegründet und mehr als ein Viertel jahrhundert lang herausgegeben hatte. Brücken zu schlagen zwischen den einzelnen Teilgebieten von Natur wissenschaft und Medizin, ist das Ziel der "Wissenschaftlichen For schungsberichte". Schon unter LIESEGANGS Herausgeberschaft wandelten und erweiterten sich Charakter und Absichten der Sammlung. Die ersten Bände erfaßten in Form kritischer Sammelreferate die Literatur einzelner Disziplinen aus der Zeit des ersten Weltkriegs. Später folgten monographi sche Darstellungen junger, inzwischen selbständig gewordener Zweige der Wissenschaft und neuer Methoden, die auf vielen Teilgebieten natur wissenschaftlicher Forschung allgemeine Bedeutung erlangt hatten. Verlag und Herausgeber bemühen sich, die "Wissenschaftlichen For schungsberichte" im Geiste LIESEGANGS weiterzuführen, und sie sind überzeugt, daß der Sinn dieser Tradition gerade darin besteht, die Samm lung so lebendig und wandlungsfähig zu erhalten, daß sie die Forderungen des Tages zu erfüllen vermag Ein Blick auf das Inhaltsverzeichnis zeigt die thematische Struktur der Ausgabe: Kap. 1. Der idealisierte Halbleiter | 1.0 Allgemeines | 1.1 Das freie Elektron | 1.2 Das Elektron im Potentialtopf | 1.3 Das Elektron im periodischen Potential | 1.4 Die Besetzung der Elektronenzustände | 1.5 Die Besetzung der obersten Energiebänder; Fermi | Statistik | Kap. 2. Der Halbleiter mit Störstellen | 2.0 Allgemeines | 2.1 Störungen im regelmäßigen Kristallbau | 2.2 Der Störhalbleiter im Bändermodell | 2.3 Elektron und Störstelle als Partner einer quasichemischen Reaktion | 2.4 Die wichtigsten Störstellenarten | Kap. 3. Der Halbleiter unter der Wirkung elektromagnetischer Felder und dem Einfluß der Temperatur | 3.0 Allgemeines | 3.1 Geschwindigkeit und Beschleunigung des Elektrons | 3.2 Die korpuskularen Eigenschaften des Elektrons und des Defektelektrons | 3.3 Das Elektron unter der gleichzeitigen Wirkung eines elektrischen und eines magnetischen Feldes | 3.4 Der Einfluß der Temperatur auf die Halbleitereigenschaften | Kap. 4. Die Halbleiteroberfläche | 4.0 Allgemeines | 4.1 Die freie Oberfläche | 4.2 Der Kontakt zwischen zwei Elektronenleitern | Kap. 5. Der Halbleiter mit gestörtem thermodynamischen Gleichgewicht | 5.0 Allgemeines | 5.1 Die p-n-Grenze | 5.2 Die Thermospannung | 5.3 Der innere Photoeffekt | 5.4 Die Oberfläche bei gestörtem thermodynamischen Gleichgewicht | Kap. 6. Die Messung der Halbleiterkonstanten | 6.0 Allgemeines | 6.1 Der Bandabstand | 6.2 Konzentration und energetische Lage von Störstellen | 6.3 Die Beweglichkeit | 6.4 Bestimmung der Scheinmasse | 6.5 Die charakteristischen Zeiten | 6.6 Die Diffusionslänge | Literatur. Für die thematische Suche und semantische Zuordnung sind insbesondere diese Tags relevant: Semiconductors Einführung in die Halbleiterphysik umfasst 1 Seiten und erscheint im Format physical, was sowohl für die Nutzung als auch für den Vergleich mit anderen Ausgaben relevant ist.
ISBN, Revision und weitere Referenzdaten
Die Ausgabe ist über den Verlag D. Steinkopff, den Ort Darmstadt und das Datum 1960 klar kontextualisiert. Für weiterführende bibliografische Verknüpfungen sind die Kennungen OL19845318W und OL27034308M besonders hilfreich. Mit 3642936539 und 9783642936531 stehen zwei zentrale ISBN-Varianten zur Verfügung, die die Ausgabe eindeutig beschreiben.
Wichtige Buchdaten im Überblick
- Schlagwörter: Semiconductors
- ISBN-10: 3642936539
- Format: physical
- Verzeichnetes Inhaltsverzeichnis: Kap. 1. Der idealisierte Halbleiter | 1.0 Allgemeines | 1.1 Das freie Elektron | 1.2 Das Elektron im Potentialtopf | 1.3 Das Elektron im periodischen Potential | 1.4 Die Besetzung der Elektronenzustände | 1.5 Die Besetzung der obersten Energiebänder; Fermi | Statistik | Kap. 2. Der Halbleiter mit Störstellen | 2.0 Allgemeines | 2.1 Störungen im regelmäßigen Kristallbau | 2.2 Der Störhalbleiter im Bändermodell | 2.3 Elektron und Störstelle als Partner einer quasichemischen Reaktion | 2.4 Die wichtigsten Störstellenarten | Kap. 3. Der Halbleiter unter der Wirkung elektromagnetischer Felder und dem Einfluß der Temperatur | 3.0 Allgemeines | 3.1 Geschwindigkeit und Beschleunigung des Elektrons | 3.2 Die korpuskularen Eigenschaften des Elektrons und des Defektelektrons | 3.3 Das Elektron unter der gleichzeitigen Wirkung eines elektrischen und eines magnetischen Feldes | 3.4 Der Einfluß der Temperatur auf die Halbleitereigenschaften | Kap. 4. Die Halbleiteroberfläche | 4.0 Allgemeines | 4.1 Die freie Oberfläche | 4.2 Der Kontakt zwischen zwei Elektronenleitern | Kap. 5. Der Halbleiter mit gestörtem thermodynamischen Gleichgewicht | 5.0 Allgemeines | 5.1 Die p-n-Grenze | 5.2 Die Thermospannung | 5.3 Der innere Photoeffekt | 5.4 Die Oberfläche bei gestörtem thermodynamischen Gleichgewicht | Kap. 6. Die Messung der Halbleiterkonstanten | 6.0 Allgemeines | 6.1 Der Bandabstand | 6.2 Konzentration und energetische Lage von Störstellen | 6.3 Die Beweglichkeit | 6.4 Bestimmung der Scheinmasse | 6.5 Die charakteristischen Zeiten | 6.6 Die Diffusionslänge | Literatur.
- ISBN-13: 9783642936531
- Externe Work-Referenz: OL19845318W
- Kurzbeschreibung: IN DIE HALBLEITERPHYSIK Von DR. HELMUT A. MÜSER apl. Professor an der Johann-Wolfgang-Goethe-Universität in Frankfurt am Main Mit 35 Abbildungen in 46 Einzeldarstellungen und 2 Tabellen DR. DIETRICH STEINKOPFF VERLAG DARM STADT 1960 ISBN 978-3-7985-0172-0 ISBN 978-3-642-93653-l(eBook) DOI 10.1007/978-3-642-93653-1 Alle Rechte vorbehalten Kein Teil dieses Buches darf in irgendeiner Form (durch Fotokopie. Mikrofilm oder ein anderes Verfahren) ohne Achriftliche Genehmigung des Verlages reproduziert werden. Copyright 1960 by Dr. Dietrich Steinkopff, Darmstadt Softcover reprint of the hardcover 18t edition 1960 Z weck und Ziel der Sammlung Als RAPHAEL EDUARD LIESEGANG am 13. November 1947 starb, lagen 57 Bände der Sammlung vor, die er gegründet und mehr als ein Viertel jahrhundert lang herausgegeben hatte. Brücken zu schlagen zwischen den einzelnen Teilgebieten von Natur wissenschaft und Medizin, ist das Ziel der "Wissenschaftlichen For schungsberichte". Schon unter LIESEGANGS Herausgeberschaft wandelten und erweiterten sich Charakter und Absichten der Sammlung. Die ersten Bände erfaßten in Form kritischer Sammelreferate die Literatur einzelner Disziplinen aus der Zeit des ersten Weltkriegs. Später folgten monographi sche Darstellungen junger, inzwischen selbständig gewordener Zweige der Wissenschaft und neuer Methoden, die auf vielen Teilgebieten natur wissenschaftlicher Forschung allgemeine Bedeutung erlangt hatten. Verlag und Herausgeber bemühen sich, die "Wissenschaftlichen For schungsberichte" im Geiste LIESEGANGS weiterzuführen, und sie sind überzeugt, daß der Sinn dieser Tradition gerade darin besteht, die Samm lung so lebendig und wandlungsfähig zu erhalten, daß sie die Forderungen des Tages zu erfüllen vermag
- Seitenzahl: 1
- Verlag: D. Steinkopff
- Sprache: Deutsch
- Titel: Einführung in die Halbleiterphysik
- Verfasst von: Helmut August Müser
- Primäre Kategorie: Sachbuch
- Erscheinungsdatum: 1960
- Externe Editionsreferenzen: OL27034308M
- Ort der Veröffentlichung: Darmstadt
Auffindbarkeit und bibliografische Präzision
Durch die Kombination aus Titel, Autorenschaft, Kategorie und Schlagwörtern - also Einführung in die Halbleiterphysik, Helmut August Müser, Sachbuch und Semiconductors - ist der Datensatz sowohl für Suchmaschinen als auch für Nutzerinnen und Nutzer sehr gut interpretierbar. Eindeutige Referenzdaten wie 3642936539, 9783642936531 und OL19845318W verbessern die bibliografische Verlässlichkeit zusätzlich.
Häufige Fragen zu Einführung in die Halbleiterphysik
Gibt es Informationen zum Inhaltsverzeichnis?
Ja, folgende Inhaltsübersicht ist hinterlegt: Kap. 1. Der idealisierte Halbleiter | 1.0 Allgemeines | 1.1 Das freie Elektron | 1.2 Das Elektron im Potentialtopf | 1.3 Das Elektron im periodischen Potential | 1.4 Die Besetzung der Elektronenzustände | 1.5 Die Besetzung der obersten Energiebänder; Fermi | Statistik | Kap. 2. Der Halbleiter mit Störstellen | 2.0 Allgemeines | 2.1 Störungen im regelmäßigen Kristallbau | 2.2 Der Störhalbleiter im Bändermodell | 2.3 Elektron und Störstelle als Partner einer quasichemischen Reaktion | 2.4 Die wichtigsten Störstellenarten | Kap. 3. Der Halbleiter unter der Wirkung elektromagnetischer Felder und dem Einfluß der Temperatur | 3.0 Allgemeines | 3.1 Geschwindigkeit und Beschleunigung des Elektrons | 3.2 Die korpuskularen Eigenschaften des Elektrons und des Defektelektrons | 3.3 Das Elektron unter der gleichzeitigen Wirkung eines elektrischen und eines magnetischen Feldes | 3.4 Der Einfluß der Temperatur auf die Halbleitereigenschaften | Kap. 4. Die Halbleiteroberfläche | 4.0 Allgemeines | 4.1 Die freie Oberfläche | 4.2 Der Kontakt zwischen zwei Elektronenleitern | Kap. 5. Der Halbleiter mit gestörtem thermodynamischen Gleichgewicht | 5.0 Allgemeines | 5.1 Die p-n-Grenze | 5.2 Die Thermospannung | 5.3 Der innere Photoeffekt | 5.4 Die Oberfläche bei gestörtem thermodynamischen Gleichgewicht | Kap. 6. Die Messung der Halbleiterkonstanten | 6.0 Allgemeines | 6.1 Der Bandabstand | 6.2 Konzentration und energetische Lage von Störstellen | 6.3 Die Beweglichkeit | 6.4 Bestimmung der Scheinmasse | 6.5 Die charakteristischen Zeiten | 6.6 Die Diffusionslänge | Literatur.
Wie lässt sich das Buch sprachlich und thematisch filtern?
Über die Sprache Deutsch und die Schlagwörter Semiconductors kann die Ausgabe gezielt in Such- und Katalogsystemen eingegrenzt werden.
Wie lässt sich die Ausgabe eindeutig identifizieren?
Die eindeutige Identifikation erfolgt unter anderem über die ISBN-10 3642936539 und die ISBN-13 9783642936531.
Worum handelt es sich bei Einführung in die Halbleiterphysik?
Einführung in die Halbleiterphysik ist ein Buch von Helmut August Müser, das der Kategorie Sachbuch zugeordnet wird und damit thematisch klar eingeordnet werden kann.
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