GaAs-Feldeffekttransistoren - Alle wichtigen Infos zur Ausgabe
02.10.2026
Lesedauer: 3 min
GaAs-Feldeffekttransistoren von W. Kellner im Überblick mit Inhalt, Buchdaten und Einordnung. So siehst du sofort, ob das Buch zu deiner Suche passt.
GaAs-Feldeffekttransistoren im Überblick
Wer nach einem Buch von W. Kellner aus dem Themenfeld Sachbuch sucht, findet mit GaAs-Feldeffekttransistoren eine Ausgabe mit präziser inhaltlicher Positionierung. GaAs-Feldeffekttransistoren wurde am 1985 publiziert und dem Verlag Springer-Verlag mit Verlagsort Berlin zugeordnet.
Einordnung nach Autor, Thema und Ausgabe
Für alle, die Bücher von W. Kellner recherchieren oder vergleichen, ist GaAs-Feldeffekttransistoren eine relevante Ausgabe. Die Ausgabe ist in Deutsch verfügbar und damit gezielt für Leserinnen und Leser mit entsprechender Sprachpräferenz interessant. Innerhalb von Sachbuch bietet GaAs-Feldeffekttransistoren eine klar erkennbare thematische Zuordnung. Das hinterlegte Publikationsdatum 1985 unterstützt dabei, GaAs-Feldeffekttransistoren zeitlich korrekt zu klassifizieren. Der Verlag Springer-Verlag und der Verlagsort Berlin liefern zusätzliche Orientierung bei der Einordnung dieser Ausgabe.
Thematische Einordnung von GaAs-Feldeffekttransistoren
Die Kapitel- und Inhaltsübersicht macht deutlich, wie das Buch aufgebaut ist: 1 Einleitung | 2 Grundlagen | 3 Theorie des Ladungstransports | 4 GaAs-Mesfet | 5 GaAs-Planartechnologie | 6 Stabilität und Zuverlässigkeit von GaAs-Mesfet | 7 Ternäre und quaternäre Halbleiter für Hochfrequenz-FET | 8 Ausblick: Monolithisch integrierte Schaltungen auf GaAs | A1 Smith-Diagramm | A2 S-Parameter | A3 Kenngrößen von Netzwerken. Ergänzend helfen die hinterlegten Schlagwörter dabei, GaAs-Feldeffekttransistoren thematisch schneller einzuordnen: Galliumarsenid-Feldeffekttransistor, Gallium arsenide semiconductors, Metal semiconductor field-effect transistors Mit einem Umfang von 1 Seiten und dem Format physical verbindet die Ausgabe inhaltliche Tiefe mit einer klar beschriebenen physischen Form.
Edition und bibliografische Einordnung
Die Open-Library-Zuordnung über OL19852070W und OL27040564M verbessert die externe Nachvollziehbarkeit des Werkes. Für die eindeutige Identifikation der Ausgabe sind sowohl die ISBN-10 3540137637 als auch die ISBN-13 9783540137634 hinterlegt. Durch die Kombination aus Springer-Verlag, Berlin und 1985 lässt sich die Ausgabe sauber verorten.
Bibliografische Daten auf einen Blick
- Open-Library-Work-ID: OL19852070W
- Seitenzahl: 1
- ISBN-13: 9783540137634
- Ort der Veröffentlichung: Berlin
- Primäre Kategorie: Sachbuch
- Internationale Standardbuchnummer (ISBN-10): 3540137637
- Erscheinungsdatum: 1985
- Schlagwörter: Galliumarsenid-Feldeffekttransistor, Gallium arsenide semiconductors, Metal semiconductor field-effect transistors
- Publiziert bei: Springer-Verlag
- Sprache: Deutsch
- Verfasst von: W. Kellner
- Externe Editionsreferenzen: OL27040564M
- Inhaltsübersicht: 1 Einleitung | 2 Grundlagen | 3 Theorie des Ladungstransports | 4 GaAs-Mesfet | 5 GaAs-Planartechnologie | 6 Stabilität und Zuverlässigkeit von GaAs-Mesfet | 7 Ternäre und quaternäre Halbleiter für Hochfrequenz-FET | 8 Ausblick: Monolithisch integrierte Schaltungen auf GaAs | A1 Smith-Diagramm | A2 S-Parameter | A3 Kenngrößen von Netzwerken.
- Ausgabeform: physical
- Titel: GaAs-Feldeffekttransistoren
Relevanz für Suche und Einordnung
Die Verbindung aus GaAs-Feldeffekttransistoren, W. Kellner, Sachbuch und Galliumarsenid-Feldeffekttransistor, Gallium arsenide semiconductors, Metal semiconductor field-effect transistors schafft eine solide Grundlage für eine präzise thematische Suche. Zusätzliche Präzision entsteht durch Identifikatoren wie 3540137637, 9783540137634 und OL19852070W, die die Ausgabe in verschiedenen Katalog- und Suchkontexten eindeutig referenzierbar machen.
Wichtige Fragen zu Inhalt und Ausgabe
Wann und wo wurde die Ausgabe veröffentlicht?
Die Ausgabe erschien am 1985 bei Springer-Verlag und ist dem Veröffentlichungsort Berlin zugeordnet.
Welche Themen oder Kapitel umfasst das Buch?
Aus der Inhaltsübersicht ergeben sich folgende Schwerpunkte: 1 Einleitung | 2 Grundlagen | 3 Theorie des Ladungstransports | 4 GaAs-Mesfet | 5 GaAs-Planartechnologie | 6 Stabilität und Zuverlässigkeit von GaAs-Mesfet | 7 Ternäre und quaternäre Halbleiter für Hochfrequenz-FET | 8 Ausblick: Monolithisch integrierte Schaltungen auf GaAs | A1 Smith-Diagramm | A2 S-Parameter | A3 Kenngrößen von Netzwerken.
Welche Open-Library-Kennungen sind vorhanden?
Vorhanden sind die Work-ID OL19852070W und die Editionsreferenzen OL27040564M.
Wie lässt sich das Buch sprachlich und thematisch filtern?
Über die Sprache Deutsch und die Schlagwörter Galliumarsenid-Feldeffekttransistor, Gallium arsenide semiconductors, Metal semiconductor field-effect transistors kann die Ausgabe gezielt in Such- und Katalogsystemen eingegrenzt werden.
Externe Links
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