Wasserstoff-Induzierte Silizium-Schichtabtrennung Durch Implantations- Und Plasmaprozesse Fur Die Herstellung Von Soi-Substraten | Ausgabe und Verlagsinfos
20.07.2026
Lesedauer: 2 min
Hier findest du zu Wasserstoff-Induzierte Silizium-Schichtabtrennung Durch Implantations- Und Plasmaprozesse Fur Die Herstellung Von Soi-Substraten von Wolfgang Dungen die wichtigsten Infos zur Ausgabe. Nützlich für alle, die gezielt prüfen statt nur überfliegen wollen.
Wasserstoff-Induzierte Silizium-Schichtabtrennung Durch Implantations- Und Plasmaprozesse Fur Die Herstellung Von Soi-Substraten | Ausgabe und Verlagsinfos
Wasserstoff-Induzierte Silizium-Schichtabtrennung Durch Implantations- Und Plasmaprozesse Fur Die Herstellung Von Soi-Substraten - Details zu Inhalt, Autor und Veröffentlichung
Wasserstoff-Induzierte Silizium-Schichtabtrennung Durch Implantations- Und Plasmaprozesse Fur Die Herstellung Von Soi-Substraten ist ein Werk von Wolfgang Dungen, das innerhalb der Kategorie Sachbuch eingeordnet wird und bereits durch seine klare thematische Ausrichtung überzeugt.
Was diese Ausgabe besonders interessant macht
Mit dem Erscheinungszeitpunkt 31.12.2007 lässt sich Wasserstoff-Induzierte Silizium-Schichtabtrennung Durch Implantations- Und Plasmaprozesse Fur Die Herstellung Von Soi-Substraten sauber in einen bibliografischen Kontext einordnen. Im Kontext des Gesamtwerks von Wolfgang Dungen lässt sich Wasserstoff-Induzierte Silizium-Schichtabtrennung Durch Implantations- Und Plasmaprozesse Fur Die Herstellung Von Soi-Substraten gezielt bibliografisch und thematisch einordnen. Wasserstoff-Induzierte Silizium-Schichtabtrennung Durch Implantations- Und Plasmaprozesse Fur Die Herstellung Von Soi-Substraten liegt in Deutsch vor, was für die inhaltliche Nutzung ebenso wichtig ist wie für die bibliografische Suche. Innerhalb von Sachbuch bietet Wasserstoff-Induzierte Silizium-Schichtabtrennung Durch Implantations- Und Plasmaprozesse Fur Die Herstellung Von Soi-Substraten eine klar erkennbare thematische Zuordnung.
Ausgabe, Identifikatoren und Referenzen
Die Open-Library-Zuordnung über OL27031468W und OL36645006M verbessert die externe Nachvollziehbarkeit des Werkes. Sowohl die ISBN-10 3832518088 als auch die ISBN-13 9783832518080 erleichtern das Auffinden und Vergleichen dieser Ausgabe erheblich.
Bibliografische Eckdaten dieser Ausgabe
Internationale Standardbuchnummer (ISBN-13): 9783832518080
Eindeutige Referenzdaten wie 3832518088, 9783832518080 und OL27031468W verbessern die bibliografische Verlässlichkeit zusätzlich.
Wichtige Fragen zu Inhalt und Ausgabe
Wie lässt sich Wasserstoff-Induzierte Silizium-Schichtabtrennung Durch Implantations- Und Plasmaprozesse Fur Die Herstellung Von Soi-Substraten thematisch einordnen?
Die Ausgabe wird dem Bereich Sachbuch zugeordnet und ist damit für thematisch fokussierte Recherchen gut geeignet.
Warum sind ISBN-10 und ISBN-13 relevant?
Mit 3832518088 und 9783832518080 lässt sich die Ausgabe in Katalogen, Shops und Bibliotheksdatenbanken zuverlässig zuordnen.
Wofür sind die Open-Library-IDs hilfreich?
Mit OL27031468W und OL36645006M lässt sich das Werk auch in externen bibliografischen Zusammenhängen besser verknüpfen.
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