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MOS-Feldeffekttransistoren - Buchdetails zu Autor, Inhalt und ISBN

12/07/2026

Lesedauer: 2 min

MOS-Feldeffekttransistoren von Reinhold Paul prägnant zusammengefasst mit Fokus auf Inhalt und Ausgabe. So siehst du sofort, ob das Buch zu deiner Suche passt.

MOS-Feldeffekttransistoren - Buchdetails zu Autor, Inhalt und ISBN

MOS-Feldeffekttransistoren - Buchdetails zu Autor, Inhalt und ISBN

MOS-Feldeffekttransistoren: Inhalt, Einordnung und bibliografische Details

Mit MOS-Feldeffekttransistoren liegt ein Buch von Reinhold Paul vor, das der Kategorie Sachbuch zugeordnet wird und sich für alle eignet, die gezielt nach Literatur mit diesem Schwerpunkt suchen. Als Veröffentlichungsdatum ist 1994 hinterlegt; verlegt wurde der Titel von Springer-Verlag in Berlin.

Was diese Ausgabe besonders interessant macht

Innerhalb von Sachbuch bietet MOS-Feldeffekttransistoren eine klar erkennbare thematische Zuordnung. Auch das Veröffentlichungsdatum 1994 macht MOS-Feldeffekttransistoren für zeitlich eingegrenzte Suchen besonders interessant. MOS-Feldeffekttransistoren liegt in Deutsch vor, was für die inhaltliche Nutzung ebenso wichtig ist wie für die bibliografische Suche. Im Kontext des Gesamtwerks von Reinhold Paul lässt sich MOS-Feldeffekttransistoren gezielt bibliografisch und thematisch einordnen. Der Verlag Springer-Verlag und der Verlagsort Berlin liefern zusätzliche Orientierung bei der Einordnung dieser Ausgabe.

Inhalte, Themen und Relevanz

Ergänzend helfen die hinterlegten Schlagwörter dabei, MOS-Feldeffekttransistoren thematisch schneller einzuordnen: Metal oxide semiconductors, Metal oxide semiconductor field-effect transistors

Wichtige Kennzeichen dieser Ausgabe

Die verlegerische und zeitliche Einordnung wird durch Springer-Verlag, Berlin und 1994 präzise ergänzt. Auch externe Referenzen sind vorhanden: Die Work-ID lautet OL3672992W, die zugehörigen Editions-IDs sind OL1216308M.

Bibliografische Eckdaten dieser Ausgabe

  1. Verlagsort: Berlin
  2. Schlagwörter: Metal oxide semiconductors, Metal oxide semiconductor field-effect transistors
  3. Erscheinungsdatum: 1994
  4. Primäre Kategorie: Sachbuch
  5. Externe Editionsreferenzen: OL1216308M
  6. Open-Library-Work-ID: OL3672992W
  7. Titel: MOS-Feldeffekttransistoren
  8. Sprache: Deutsch
  9. Autor beziehungsweise Autoren: Reinhold Paul
  10. Publiziert bei: Springer-Verlag
  11. Umfang: 435 Seiten
  12. Internationale Standardbuchnummer (ISBN-10): 3540558675

Warum sich MOS-Feldeffekttransistoren gut einordnen lässt

Die Verbindung aus MOS-Feldeffekttransistoren, Reinhold Paul, Sachbuch und Metal oxide semiconductors, Metal oxide semiconductor field-effect transistors schafft eine solide Grundlage für eine präzise thematische Suche.

FAQ zu MOS-Feldeffekttransistoren

Worum handelt es sich bei MOS-Feldeffekttransistoren?

MOS-Feldeffekttransistoren ist ein Buch von Reinhold Paul, das der Kategorie Sachbuch zugeordnet wird und damit thematisch klar eingeordnet werden kann.

Welche Sprache und Schlagwörter sind hinterlegt?

Verzeichnet sind die Sprache Deutsch sowie die Tags Metal oxide semiconductors, Metal oxide semiconductor field-effect transistors, die die thematische Zuordnung erleichtern.

Gibt es externe Referenzdaten für das Werk?

Ja, das Werk ist über die Open-Library-Work-ID OL3672992W sowie die Editions-IDs OL1216308M referenzierbar.

Wann und wo wurde die Ausgabe veröffentlicht?

Die Ausgabe erschien am 1994 bei Springer-Verlag und ist dem Veröffentlichungsort Berlin zugeordnet.

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